共模瞬態(tài)抑制度測(cè)試CMTI
隨著新的半導(dǎo)體器件（如 SiC 和 GaN）不斷的發(fā)展，以及新的應(yīng)用對(duì)更高的開關(guān)頻率的需求（相比傳統(tǒng)Mosfet和IGBT快2倍 dv/dt、5倍di/dt），高頻的共模干擾無處不在。共模瞬態(tài)抗擾度，簡(jiǎn)稱為CMTI，將成為半導(dǎo)體器件越發(fā)重要和關(guān)鍵的測(cè)試指標(biāo)。其抗擾度通過用dv/dt衡量（單位：
kV/μs 或 V/ns），是表示該器件的隔離電路在制定的高壓電壓下，可承受的從零到達(dá)指定高壓下最快dv/dt速率。
更高的CMTI指標(biāo)，意味著隔離電路的兩端可以承受更高的壓擺率（更高的上升/下降斜率）的脈沖電壓干擾，其CMT產(chǎn)生的主要原因：包括MOSFET、GaN等器件的非線性電容、PCB走線的電感、隔離電源的寄生耦合電容，數(shù)字示波器輸入端的正交誤差、 以及高壓探頭的等效輸入電容。
靈楓源專為測(cè)試CMTI共模瞬態(tài)抗擾度研發(fā)的一款高壓脈沖斜坡發(fā)生器，可實(shí)現(xiàn)+/- 2KV寬范圍的斜率可調(diào)，為準(zhǔn)確的評(píng)估各類半導(dǎo)體器件的隔離電路的瞬態(tài)抗擾度成為可能。